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2N5157

更新时间： 2024-01-20 12:16:48

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5157 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.31	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2.8 MHz

2N5157 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5157

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·Switching regulator

·Inverters

·Solenoid and relay drivers

·Motor controls

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

700

UNIT

Open base

500

Open collector

3.5

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_c=25℃

100

℃

T_j

165

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.0

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5157E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
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