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2N5151

更新时间： 2024-09-23 22:45:03

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2页	49K
描述
Type 2N5151 Geometry 9702 Polarity PNP

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2N5151 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.04
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
最大关闭时间（toff）：	1500 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
Base Number Matches：	1

2N5151 数据手册

Data Sheet No. 2N5151

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N5151

Type 2N5151

Geometry 9702

Polarity PNP

REF: MIL-PRF-19500/545

Qual Level: JAN - JANS

Features:

Silicon power transistor for use in

high speed switching applications.

Housed in a TO-39 case.

Also available in chip form using

the 9702 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/545 which

Semicoa meets in all cases.

TO-39

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

5.5

Collector Current, Continuous

Collector Current, P_W< 8.3 ms, < 1% duty cycle

I_C

Reverse Pulse Energy

Power Disipation T_A= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

1.0

5.7

Watt

P_T

T_J

mW/^oC

^oC

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

^oC

T_STG

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