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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | TO-18, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.26 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 175 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 7 pF | JEDEC-95代码： | TO-206AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5116_TO-18 | MICROSS |
获取价格 |
P-CHANNEL JFET |
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| 2N5116HR-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| 2N5116JAN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel JFETs |
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| 2N5116JANTX | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel JFETs |
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| 2N5116JANTXV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel JFETs |
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| 2N5116LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18, |
|
| 2N5116UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
|
| 2N5117 | INTERSIL |
获取价格 |
DIELECTRICALLY ISOLATED DUAL PNP GENERAL PURPOSE AMPLLIFIER |
|
| 2N5118 | INTERSIL |
获取价格 |
DIELECTRICALLY ISOLATED DUAL PNP GENERAL PURPOSE AMPLLIFIER |
|
| 2N5119 | INTERSIL |
获取价格 |
DIELECTRICALLY ISOLATED DUAL PNP GENERAL PURPOSE AMPLLIFIER |
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