Datasheet > 2N5088/D

2N5088/D

更新时间： 2024-02-15 19:26:12

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	285K
描述
Amplifier Transistor NPN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5088/D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.11
其他特性：	LOW NOISE	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2N5088/D 数据手册

Order this document

by 2N5088/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Rating

Symbol

2N508

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Vdc

CEO

CBO

EBO

3.0

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

(1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(2)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

2N5088

2N5089

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

Vdc

nAdc

(BR)CBO

2N5088

2N5089

—

Collector Cutoff Current

CBO

= 20 Vdc, I = 0)

2N5088

2N5089

—

= 15 Vdc, I = 0)

Emitter Cutoff Current

EBO

EB(off)

= 3.0 Vdc, I = 0)

—

100

= 4.5 Vdc, I = 0)

1. R

is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

θJA

2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4 5 6

下载PDF

与2N5088/D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5088/D10Z-5	TI	30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5088/D10Z-J14Z	TI	30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5088/D10Z-J22Z	TI	30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5088/D10Z-J25Z	TI	30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5088/D11Z-J25Z	TI	30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5088/D26Z	TI	100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格