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2N5087_J18Z

更新时间： 2024-01-12 20:11:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 97K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N5087_J18Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.62其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：250
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2N5087_J18Z 数据手册

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2N5086/2N5087/MMBT5087  
PNP General Purpose Amplifier  
3
•
This device is designed for low level, high gain, low  
noise general purpose amplifier applications at  
collector currents to 50mA.  
2
SOT-23  
Mark: 2Q  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector current  
CEO  
-50  
V
CBO  
EBO  
-3.0  
V
I
- Continuous  
-100  
mA  
°C  
C
T , T  
Junction and Storage Temperature  
-55 ~ +150  
J
stg  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
= -1.0mA, I = 0  
-50  
-50  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
CEO  
C
B
= -100µA, I = 0  
C
E
I
V
V
= -10V, I = 0  
-10  
-50  
nA  
nA  
CB  
CB  
E
= -35V, I = 0  
E
I
Emitter Cutoff Current  
V
= -3.0V, I = 0  
-50  
nA  
CBO  
EB  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
I
= -100µA, V = -5.0V  
5086  
5087  
5086  
5087  
5086  
5087  
150  
250  
150  
250  
150  
250  
500  
800  
FE  
C
C
C
CE  
= -1.0mA, V = -5.0V  
CE  
= -10mA, V = -5.0V  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= -10mA, I = -1.0mA  
-0.3  
V
V
CE(sat)  
C
B
= -1.0mA, V = -5.0V  
-0.85  
BE(on)  
C
CE  
Small Signal Characteristics  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Collector-Base Capacitance  
Small-Signal Current Gain  
I
= -500µA, V = -5.0V, f = 20MHz  
40  
MHz  
pF  
T
C
CE  
C
V
= -5.0V, I = 0, f = 100KHz  
4.0  
cb  
CB  
E
h
I
= -1.0mA, V = -5.0V,  
5086  
5087  
150  
250  
600  
900  
fe  
C
CE  
f = 1.0KHz  
NF  
Noise Figure  
I
R
= -100µA, V = -5.0V  
5086  
5087  
3.0  
2.0  
dB  
dB  
C
CE  
= 3.0kΩ, f = 1.0KHz  
S
I
R
= -20µA, V = -5.0V  
5086  
5087  
3.0  
2.0  
dB  
dB  
C
CE  
= 10kΩ  
S
f = 10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, September 2003  
1234567...9

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