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2N5087

更新时间: 2024-02-08 22:03:10
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
PNP general purpose transistor

2N5087 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
VCEsat-Max:0.3 V

2N5087 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
2N5087  
PNP general purpose transistor  
Product specification  
1997 Jul 02  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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