2N5087

更新时间： 2024-02-25 06:39:47

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
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8页	146K
描述
Amplifier Transistor(PNP Silicon)

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2N5087 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	4 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V

2N5087 数据手册

ON Semiconductort

Amplifier Transistor

PNP Silicon

2N5087

ON Semiconductor Preferred Device

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CEO

Vdc

CBO

Emitter–Base Voltage

3.0

Vdc

EBO

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

CASE 29–11, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

COLLECTOR

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

qJA

BASE

83.3

qJC

EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

—

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 µAdc, I = 0)

(BR)CBO

Collector Cutoff Current

(V = 35 Vdc, I = 0)

nAdc

CBO

Emitter Cutoff Current

(V = 3.0 Vdc, I = 0)

EBO

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.

Publication Order Number:

November, 2001 – Rev. 1

2N5087/D

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