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2N5067

更新时间: 2024-10-31 14:53:31
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17页 256K
描述
40V,5A,87.5W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

2N5067 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.21
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):7JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):88 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N5067 数据手册

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TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

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