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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 2N5063TRE
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2N5063TRE

更新时间： 2024-11-12 12:58:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 150V V(RRM), 1 Element, TO-92

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2N5063TRE 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.08
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.2 mA
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

2N5063TRE 数据手册

 浏览型号2N5063TRE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
2N5060 THRU 2N5064  
Semiconductor Corp.  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
0.8 AMP, 30 THRU 200 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5060 series  
types are epoxy molded Silicon Controlled  
Rectifiers designed for control systems and  
sensing circuit applications.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
2N5060 2N5061 2N5062 2N5063 2N5064 UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
30  
60  
100  
0.8  
10  
1.0  
5.0  
150  
200  
V
A
A
A
V
W
W
°C  
°C  
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =60°C)  
I
I
I
V
P
C
T(RMS)  
TSM  
GM  
GM  
GM  
G (AV)  
stg  
Peak One Cycle Surge  
Peak Forward Gate Current (tp=20µs)  
Peak Reverse Gate Voltage  
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation (t=20µs) P  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
2.0  
0.1  
-40 to +150  
-40 to +125  
T
T
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
1.0  
50  
200  
350  
5.0  
10  
UNITS  
µA  
µA  
µA  
µA  
mA  
mA  
V
V
V
V
V/µs  
µs  
I
I
I
I
I
I
I
I
Rated V  
Rated V  
V
, V  
R
=1KΩ  
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
, T =125°C, R =1KΩ  
DRM, RRM  
DRM RRM C GK  
V =7.0V, R =100Ω, R =1KΩ  
GT  
GT  
H
D
L
GK  
V =7.0V, R =100Ω, R =1KΩ, T =-65°C  
D
L
GK  
C
R
=1KΩ  
GK  
GK  
R
=1KΩ, T =-65°C  
C
H
V
V
V
V
V =7.0V, R =100Ω  
0.8  
1.2  
GT  
GT  
GT  
TM  
D
L
V =7.0V, R =100Ω, T =-65°C  
D
L
C
V =7.0V, R =100Ω, T =125°C  
0.1  
D
TM  
L
C
I
=1.2A  
1.7  
dv/dt  
V =0.67V x V  
T =125°C, R =1KΩ  
30  
D
DRM,  
DRM,  
C
GK  
GK  
t
V =0.67V x V  
T =125°C, R =1KΩ  
200  
q
D
C
R4 (25-August 2004)  
12

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与2N5063TRE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5063TRELEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 150V V(RRM), 1 Element, TO-92,
2N5063TRF CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 150V V(RRM), 1 Element, TO-92
2N5063TRH CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 150V V(RRM), 1 Element, TO-92
2N5064 LITTELFUSE

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 		Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A)
2N5064 MOTOROLA

获取价格

 		0.8A, 200V, SCR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
2N5064 DIGITRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Inp
2N5064 NJSEMI

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N5064 NXP

获取价格

 		Thyristor sensitive gate
2N5064 BOCA

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 		SCRs (Silicon Controlled Rectifiers)
2N5064 TECCOR

获取价格

 		Sensitive SCRs

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