2N4909

更新时间： 2024-11-28 07:28:43

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描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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2N4909 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2N4909 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2N4909

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -0.75V(Max.)@ I_C= -4A

·DC Current Gain-

: h_FE= 20-80 @I_C= -4A

APPLICATIONS

·Designed for general purpose use in power amplifier and

switching circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-5

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

-10

I_B

-4

P_C

150

℃

T_J

200

Storage Temperature

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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