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2N4899

更新时间: 2024-02-25 15:45:11
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 74K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N4899 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):4 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):10
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):25 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):3 MHz

2N4899 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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