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2N4889

更新时间: 2024-02-22 03:37:41
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 148K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-222AB

2N4889 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-105包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):80JEDEC-95代码:TO-105
JESD-30 代码:O-PBCY-W4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2N4889 数据手册

  

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