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2N4856A

更新时间： 2024-11-19 14:53:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 605K
描述
4V,10V,50mA,1.8W Through-Hole JFET N Channel

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2N4856A 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.09
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏源导通电阻：25 Ω
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：4 pF
JEDEC-95代码：TO-18JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N4856A 数据手册

 浏览型号2N4856A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N4856A的Datasheet PDF文件第3页 
2N4856  
2N4856A  
www.centralsemi.com  
N-CHANNEL  
SILICON JFET  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4856 and  
2N4856A are N-Channel silicon JFETs designed for  
analog switching and chopper applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-18 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
40  
DS  
Drain-Gate Voltage  
V
40  
40  
V
V
DG  
Reverse Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
GSR  
I
50  
mA  
mW  
°C  
GF  
Power Dissipation (T =25°C)  
A
Operating and Storage Junction Temperature  
P
360  
D
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
=20V, V =0  
0.25  
nA  
GSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
=20V, V =0, T =150°C  
DS  
0.5  
μA  
mA  
nA  
μA  
V
GSS  
A
=15V, V =0  
50  
DSS  
GS  
=15V, V =10V  
GS  
0.25  
0.5  
D(OFF)  
D(OFF)  
=15V, V =10V, T =150°C  
GS  
A
BV  
I =1.0μA, V =0  
40  
GSS  
G
DS  
V
V
V
=15V, I =0.5nA  
4.0  
10  
0.75  
25  
V
GS(OFF)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS  
D
I =20mA, V =0  
V
D
GS  
=0, I =0, f=1.0kHz  
r
V
Ω
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
D
C
C
C
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4856)  
8.0  
4.0  
18  
pF  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
rss  
rss  
iss  
iss  
DS  
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4856A)  
DS  
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4856)  
DS  
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4856A)  
DS  
10  
t
t
t
t
t
=10V, V  
=10V, V  
=10V, V  
=10V, V  
=10V, V  
=10V, I =20mA (2N4856)  
6.0  
5.0  
3.0  
25  
d
GS(OFF)  
GS(OFF)  
GS(OFF)  
GS(OFF)  
GS(OFF)  
D
=10V, I =20mA (2N4856A)  
d
D
=10V, I =20mA  
r
D
=10V, I =20mA (2N4856)  
off  
off  
D
=10V, I =20mA (2N4856A)  
20  
D
R0 (11-June 2012)  
123

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2N4856A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N4856ALEADFREE CENTRAL

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO
2N4856A VISHAY

功能相似

 N-Channel JFETs
2N4856A MOTOROLA

功能相似

 JFET SWITCHING N-CHANNEL-DEPLETION

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4856A-1 VISHAY

获取价格

 		暂无描述
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