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2N4855

更新时间: 2024-01-09 01:41:06
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其他 - ETC 晶体放大器晶体管
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1页 128K
描述
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

2N4855 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TO-226, 6 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:40 V最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:O-PBCY-W6JESD-609代码:e0
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN AND PNP
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2N4855 数据手册

  

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