是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 7 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 22 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 100 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT): | 0.2 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N457 | NJSEMI |
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BJT | |
2N457A | NJSEMI |
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BJT | |
2N457B | TI |
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7A, 40V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 | |
2N457B | NJSEMI |
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BJT | |
2N458 | NJSEMI |
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BJT | |
2N458A | NJSEMI |
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POWER TRANSISTOR | |
2N458B | NJSEMI |
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GE PNP POWER BJT | |
2N458B | TI |
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7A, 50V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 | |
2N459 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 | |
2N459A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3VAR |