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2N456B

更新时间: 2024-09-18 20:30:47
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
6页 177K
描述
7A, 30V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

2N456B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):22JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:100 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:GERMANIUM标称过渡频率 (fT):0.2 MHz
Base Number Matches:1

2N456B 数据手册

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