2N4403-B

更新时间： 2024-09-24 13:02:43

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美微科 - MCC		晶体放大器晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	175K
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Transistor

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2N4403-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e0	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2N4403-B 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2N4403

Micro Commercial Components

Features

•

Through Hole Package

Capable of 600mWatts of Power Dissipation

PNP General

Purpose Amplifier

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL rating 1

Marking:Type number

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

TO-92

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_BL

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=-1.0mAdc, I_B=0)

-40

-5.0

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-10µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-10µAdc, I_C=0)

Base Cutoff Current

(V_CE=-30Vdc, V_BE=-3.0Vdc)

Vdc

-0.1

µAdc

I_CEX

Collector Cutoff Current

(V_CE=-30Vdc, V_BE=-3.0Vdc)

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

(I_C=-0.1mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-10mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-150mAdc, V_CE=-2.0Vdc)

(I_C=-500mAdc, V_CE=-2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-150mAdc, I_B=-15mAdc)

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-150mAdc, I_B=-15mAdc)

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

100

300

V_CE(sat)

-0.4

-0.75

Vdc

V_BE(sat)

-0.75

200

-0.95

-1.30

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=-20mAdc, V_CE=-10Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=-10Vdc, I_E=0, f=140kHz)

Input Capacitance

(V_EB=-0.5Vdc, I_C=0, f=140kHz)

MHz

C_cb

C_eb

8.5

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.170

.550

.010

.130

.010

MIN

30.0

DIM

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

.190

.590

.020

.160

.104

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

SWITCHING CHARACTERISTICS

t_d

t_r

t_s

t_f

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(V_CC=-3.0Vdc, V_BE=-2.0Vdc

I_C=-150mAdc, I_B1=-15mAdc)

(V_CC=-3.0Vdc, I_C=-150mAdc

I_B1=I_B2=-15mAdc)

225

*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 6

2008/02/01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4403-BP	MCC	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
2N4403-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2N4403BU	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
2N4403BU	ONSEMI	获取价格	PNP 双极晶体管，TO-92
2N4403-BULK	VISHAY	获取价格	Transistor
2N4403D	ZETEX	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,CHIP / DIE
2N4403D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4403D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4403D75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4403DWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.025 X 0.025 INCH

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