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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N4403-AP
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2N4403-AP

更新时间： 2024-09-24 05:57:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 175K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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2N4403-AP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.54集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

2N4403-AP 数据手册

 浏览型号2N4403-AP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N4403-AP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N4403-AP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2N4403  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
Through Hole Package  
Capable of 600mWatts of Power Dissipation  
PNP General  
Purpose Amplifier  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL rating 1  
x
Marking:Type number  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
TO-92  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
A
E
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-1.0mAdc, IB=0)  
-40  
-40  
-5.0  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-10µAdc, IC=0)  
Base Cutoff Current  
(VCE=-30Vdc, VBE=-3.0Vdc)  
B
Vdc  
-0.1  
-0.1  
µAdc  
µAdc  
ICEX  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-30Vdc, VBE=-3.0Vdc)  
ON CHARACTERISTICS  
C
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=-0.1mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
(IC=-150mAdc, VCE=-2.0Vdc)  
(IC=-500mAdc, VCE=-2.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-150mAdc, IB=-15mAdc)  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-150mAdc, IB=-15mAdc)  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
30  
60  
100  
100  
20  
300  
VCE(sat)  
-0.4  
-0.75  
Vdc  
Vdc  
D
VBE(sat)  
-0.75  
200  
-0.95  
-1.30  
C
B
E
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=-20mAdc, VCE=-10Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=-10Vdc, IE=0, f=140kHz)  
Input Capacitance  
(VEB=-0.5Vdc, IC=0, f=140kHz)  
MHz  
pF  
G
Ccb  
Ceb  
8.5  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
30.0  
pF  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
tr  
ts  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=-3.0Vdc, VBE=-2.0Vdc  
IC=-150mAdc, IB1=-15mAdc)  
(VCC=-3.0Vdc, IC=-150mAdc  
IB1=IB2=-15mAdc)  
15  
20  
225  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
E
G
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: 6  
2008/02/01  
1234

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