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2N4401-BP-HF

更新时间： 2024-09-23 21:04:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 294K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2N4401-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

2N4401-BP-HF 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2N4401  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS  
Compliant. See ordering information)  
NPN General  
·
·
·
·
·
Capable of 600mWatts of Power Dissipation  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Purpose Amplifier  
Moisture Sensitivity Level 1  
Marking:Type number  
•
Operating Temperature: -55oC to +150oC  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
TO-92  
•
A
E
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=0.1mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=0.1mAdc, IC=0)  
Base Cutoff Current  
6.0  
Vdc  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
(VCE=35Vdc, VBE=0.4Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=35Vdc, VBE=0.4Vdc)  
ICEX  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=0.1mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
20  
40  
80  
100  
40  
300  
VCE(sat)  
D
0.4  
Vdc  
Vdc  
0.75  
VBE(sat)  
0.75  
250  
0.95  
1.2  
E
E
B
B
C
C
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
G
(IC=20mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz)  
Collector-Base Capacitance  
(VCB=5.0Vdc, IE=0, f=100kHz)  
Emitter-Base Capacitance  
MHz  
pF  
Ccb  
Ceb  
DIMENSIONS  
6.5  
INCHES  
MM  
(VBE=0.5Vdc, IC=0, f=100kHz)  
30.0  
pF  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
tr  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=30Vdc, VBE=0.2Vdc  
IC=150mAdc, IB1=15mAdc)  
(VCC=30Vdc, IC=150mAdc  
IB1=IB2=15mAdc)  
15  
20  
225  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
E
ts  
tf  
Straight Lead  
Bent Lead  
G
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
w w w.m c c s e m i.c o m  
1 of 4  
Revision: F  
2013/01/01  
1234

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与2N4401-BP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4401BU FAIRCHILD

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 		This device is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector
2N4401BU ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Junction Transistor, TO-92
2N4401BULK CDIL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2N4401D74Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N4401G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
2N4401G-T92-B UTC

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N4401G-T92-K UTC

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N4401-J14Z TI

获取价格

 		40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4401J18Z FAIRCHILD

获取价格

 		600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
2N4401-J25Z TI

获取价格

 		40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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