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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.62 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N4386 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N4386 | ASI | Transistor |
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| 2N4387 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N4387E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N4388 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N4388E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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