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2N4377

更新时间: 2024-01-16 07:11:52
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 158K
描述
Silicon Controlled Rectifier

2N4377 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.23
Is Samacsys:N配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us最大直流栅极触发电流:250 mA
最大直流栅极触发电压:5 V最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-94JESD-30 代码:O-MUPM-H3
最大漏电流:10 mA通态非重复峰值电流:1600 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:70000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N4377 数据手册

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