2N4374

更新时间： 2024-11-08 22:45:03

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美高森美 - MICROSEMI		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
3页	158K
描述
Silicon Controlled Rectifier

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2N4374 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-83
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us
最大直流栅极触发电流：	100 mA	最大直流栅极触发电压：	5 V
最大维持电流：	200 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AD
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	10 mA	通态非重复峰值电流：	1600 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	70000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	110 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4374E3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AD,
2N4375	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
2N4375	POWEREX	获取价格	Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts
2N4375E3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD,
2N4376	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
2N4376	POWEREX	获取价格	Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts
2N4377	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
2N4377	POWEREX	获取价格	Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts
2N4377E3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A
2N4378	POWEREX	获取价格	Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts