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2N4374

更新时间: 2024-02-21 00:27:05
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 158K
描述
Silicon Controlled Rectifier

2N4374 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.23Is Samacsys:N
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us
最大直流栅极触发电流:250 mA最大直流栅极触发电压:5 V
最大维持电流:200 mAJEDEC-95代码:TO-94
JESD-30 代码:O-MUPM-H3最大漏电流:10 mA
通态非重复峰值电流:1600 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:70000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-45 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N4374 数据手册

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