Datasheet > 2N4036

2N4036

更新时间： 2024-02-26 23:50:05

品牌	Logo	应用领域
博卡 - BOCA		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N4036 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.81	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	最大关闭时间（toff）：	700 ns
最大开启时间（吨）：	110 ns	Base Number Matches：	1

2N4036 数据手册

PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR

2N4036

TO-39

Boca Semiconductor Corp.

BSC

http://www.bocasemi.com

General Purpose Transistor

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter Base Voltage

VCEO

VCBO

VEBO

7.0

0.5

Base Current

Collector Current -Continuous

Power Dissipation @ Tc=25 deg C

Linear Derating Factor

Power Dissipation @ Ta=25 deg C

Linear Derating Factor

Operating & Storage Junction

Temperature Range

1.0

5.0

28.6

1.0

5.72

-65 to +200

mW/deg C

deg C

Tj, Tstg

Lead Temperature 1/16" from Case

for 10 Seconds

230

deg C

Thermal Resistance

Junction to Case

Rth (j-c)

deg C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

VCEO IC=10mA, IB=0

VCBO IC=100uA, IE=0

ICEX VCE=85V, VBE=1.5V

ICBO VCB=90V, IE=0

IEBO VBE=7V, IC=0

MIN TYP MAX

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Collector Cut off Current

0.1

1.0

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

hFE

0.1mA, VCE=10V

IC=150mA, VCE=2V

IC=150mA, VCE=10V

IC=500mA, VCE=10V

200

140

0.65

1.4

Collector -Emitter (sat) Voltage

Base -Emitter (sat) Voltage

Small- Signal Characteristics

Current Gain- High Frequency

VCE(sat) IC=150mA, IB=15mA

VBE(sat) IC=150mA, IB=15mA

lhfel

IC=50mA,VCE=10V, f=20MHz

3.0

Switching Characteristics

Rise time

Sorage time

IB1=15mA,IC=150mA, VCE=30V

IB2=15mA,IC=150mA, VCE=30V

600

100

Fall time

Turn-on time

Turn-off time

ton

toff

IC=150mA, VCE=30V, IB1=IB2=

15mA

110

700

Continental Device India Limited

Page 1 of 2

Data Sheet

下载PDF

与2N4036相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N4036(AMMOPAK)	NXP	暂无描述	获取价格
2N4036(TAPE-REEL)	NXP	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-39	获取价格
2N4036{AMMOPAK}	NXP	TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, BIP General Purpose Small Signal	获取价格
2N4036{TAPE-REEL}	NXP	TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, BIP General Purpose Small Signal	获取价格
2N4036LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO	获取价格
2N4036PBFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格