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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N401 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N4012 | NJSEMI |
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HIGH-POWER SILICON N-P-N TRANSISTOR |
|
| 2N4013 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL |
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| 2N4013 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N4013 | STMICROELECTRONICS |
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1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
|
| 2N4013LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N4014 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH |
|
| 2N4014 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N4014 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL |
|
| 2N4014PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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