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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N3906-BP
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2N3906-BP

更新时间： 2024-11-27 06:23:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 431K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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2N3906-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.02最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

2N3906-BP 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2N3906  
Micro Commercial Components  
Features  
·
·
Through Hole Package  
Capable of 600mWatts of Power Dissipation and 200mA Ic.  
PNP General  
Purpose Amplifier  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
•
•
Marking:Type number  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
TO-92  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
A
E
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
40  
40  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10mAdc, IC=0)  
B
5.0  
Vdc  
Base Cutoff Current  
50  
50  
nAdc  
nAdc  
(VCE=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
ICEX  
ON CHARACTERISTICS  
C
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=0.1mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
60  
80  
100  
60  
300  
30  
VCE(sat)  
0.25  
0.4  
Vdc  
Vdc  
D
VBE(sat)  
0.65  
250  
0.85  
0.95  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
C
B
E
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=5.0Vdec, IE=0, f=100MHz)  
Input Capacitance  
(VBE=0.5Vdc, IC=0, f=100kHz)  
Noise Figure  
(IC=100mAdc, VCE=5.0Vdc, RS=1.0kW  
f=10Hz to 15.7kHz)  
MHz  
pF  
G
Cobo  
Cibo  
NF  
4.5  
10.0  
4.0  
DIMENSIONS  
pF  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
NOTE  
dB  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
E
G
td  
tr  
ts  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=10mAdc, IB1=1.0mAdc)  
(VCC=3.0Vdc, IC=10mAdc  
IB1=IB2=1.0mAdc)  
35  
35  
225  
75  
ns  
ns  
ns  
ns  
*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 5  
Revision: 5  
2008/02/01  
12345

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与2N3906-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3906-BP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2N3906BU FAIRCHILD

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 		PNP General Purpose Amplifier
2N3906BU ONSEMI

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 		小信号 PNP 双极晶体管，TO-92
2N3906BU_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N3906C KEC

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 		EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
2N3906C_00 KEC

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2N3906C_02 KEC

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2N3906D26Z FAIRCHILD

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2N3906-D27ZS00Z FAIRCHILD

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 		Transistor

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