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2N3904_02

更新时间： 2024-09-17 07:28:35

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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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2N3904_02 数据手册

SEMICONDUCTOR

2N3904

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Low Leakage Current

DIM MILLIMETERS

: I_CEX=50nA(Max.), I_BL=50nA(Max.)

@V_CE=30V, V_EB=3V.

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

Excellent DC Current Gain Linearity.

Low Saturation Voltage

1.00

1.27

0.85

: V_CE(sat)=0.3V(Max.) @I_C=50mA, I_B=5mA.

Low Collector Output Capacitance

: C_ob=4pF(Max.) @V_CB=5V.

Complementary to 2N3906.

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

TO-92

200

I_B

Base Current

625

1.5

Ta=25

Tc=25

Collector Power

Dissipation

P_C

T_j

Junction Temperature

150

-55 150

T_stg

Storage Temperature Range

2002. 9. 12

Revision No : 1

1/4

12 3 4

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