2N3866A

更新时间： 2024-09-16 07:28:31

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ASI		晶体晶体管
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描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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2N3866A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.02	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	800 MHz	Base Number Matches：	1

2N3866A 数据手册

2N3866A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

PACKAGE STYLE TO-39

DESCRIPTION:

The 2N3866A is a High Frequency

Transistor Designed for Amplifier and

Oscillator Applications.

MAXIMUM RATINGS

400 mA

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

30 V

5.0 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

35 ^OC/W

T_STG

θ_JC

1 = Emitter

2 = Base

3 = Collector

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

NONE

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 5.0 mA

I_C= 100 µA

V_CE= 55 V

V_CE= 30 V

V_CE= 28 V

V_EB= 3.5 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_EBO

R_BE= 10 Ω

3.5

V_BE= -1.5 V

100

500

I_CEX

T_C= 200 ^OC

µA

I_CEO

I_EBO

µA

100

200

I_C= 50 mA

h_FE

---

I_C= 360 mA

5.0

V_CE(SAT)

I_C= 100 mA

I_B= 20 mA

1.0

3.0

f_t

V_CE= 15 V

V_CB= 28 V

I_C= 50 mA

f = 200 MHz

f = 1.0 MHz

800

MHz

C_OB

G_PE

V_CC= 28 V

P_out= 1.0 W

f = 400 MHz

η_c

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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