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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 126 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3846 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3846 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N3846E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N3847 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3847 | NJSEMI |
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N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N3847 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N3847E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N3849 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
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| 2N3849E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N385 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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