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2N3808

更新时间: 2024-02-28 19:37:19
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雷神 - RAYTHEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 597K
描述
Transistor,

2N3808 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.25
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):150JEDEC-95代码:TO-78
JESD-30 代码:O-MBCY-W6JESD-609代码:e3
元件数量:2端子数量:6
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2N3808 数据手册

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