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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-99 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.81 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JEDEC-95代码： | TO-99 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3806DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3806LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78 |
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| 2N3807 | CENTRAL |
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Dual Transistors |
|
| 2N3807A | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N3807A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-99, |
|
| 2N3807DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
|
| 2N3807LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78 |
|
| 2N3808 | CENTRAL |
获取价格 |
Dual Transistors |
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| 2N3808 | RAYTHEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N3808 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor, |
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