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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-71 | 包装说明： | TO-71, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | TO-71 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W6 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3804A | RAYTHEON |
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Transistor, |
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| 2N3804ADCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3804DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3805A | NJSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON DIFFERENTIAL AMPLIFIERS |
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| 2N3805ADCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3805DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
|
| 2N3806 | CENTRAL |
获取价格 |
Dual Transistors |
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| 2N3806 | NJSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON DIFFERENTIAL AMPLIFIERS |
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| 2N3806A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-99, |
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| 2N3806DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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