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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.61 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 400 ns | 最大开启时间（吨）： | 100 ns |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3720 | NJSEMI | POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N3720 | MICROSEMI | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N3720 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3720 | SEME-LAB | PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3720LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-3 |
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| 2N3721 | NJSEMI | SI NPN LO-PWR BJT |
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