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2N3716

更新时间： 2024-02-12 09:36:00

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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2N3716 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N3716 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2N3715/3716

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 50-150@I_C= 1A

·Wide Area of Safe Operation

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.8V(Max.)@ I_C= 5A

·Complement to Type 2N3791/3792

APPLICATIONS

·Designed for medium-speed switching and amplifier

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

2N3715

2N3716

2N3715

2N3716

V_CBO

Collector-Base Voltage

100

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current

I_B

P_C

T_J

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

150

200

-65~200

℃

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N3716X	ETC	获取价格	NPN
2N3719	MICROSEMI	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2N3719	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N3719	APITECH	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,
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