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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.8 V |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N3714LEADFREE | CENTRAL |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3715SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| 2N3715X | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-204AA |
|
| 2N3716 | MOTOROLA |
获取价格 |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS SILICON NPN 60.80 VOLTS 150 WATTS |
|
| 2N3716 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
|
| 2N3716 | BOCA |
获取价格 |
SILICON NPN POWER TRANSISTORS |
|
| 2N3716 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| 2N3716 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3716 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N3716 | COMSET |
获取价格 |
EPITAXIAL-BASE NPN - PNP |
|
| 2N3716 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
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