2N3570

更新时间： 2024-11-08 22:49:23

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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2N3570 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	0.75 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	L BAND	JEDEC-95代码：	TO-72
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3570 数据手册

2N3570

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The 2N3570 is Designed for High

Frequency Low Noise Amplifier and

Oscillator Applications.

PACKAGE STYLE TO- 72

MAXIMUM RATINGS

50 mA

30 V

I_C

V_CB

V_CE

V_EB

P_DISS

T_J

15 V

3.0 V

200 mW @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

500 ^OC/W

T_STG

θ_JC

1 = EMITTER

3 = COLLECTOR

2 = BASE

4 = CASE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

NONE

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 2 mA

BV_CBO

I_C= 1.0 µA

V_CB= 6.0 V

µA

I_CBO

T_A= 150 ^OC

f = 1.0 MHz

1.0

BV_EBO

h_FE

I_E= 10 µA

3.0

V_CE= 6.0 V

I_C= 5.0 mA

150

---

C_ob

h_FE

V_CB= 6 V

V_CE= 6 V

V_CB= 6 V

0.75

150

---

I_C= 5 mA

3.75

h_fe

f = 400 MHz

f = 79.8 MHz

4.25

---

r_b´C_C

I_E= -5 mA

P_OSC

N_F

V_CC= 20 V I_C= 15 mA

V_CB= 6 V I_C= 2 mA

f = 1.0 GHz

R_G= 50 Ω

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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