是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DISK BUTTON, O-MRDB-F3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.92 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 12 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JESD-30 代码: | O-MRDB-F3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 1.2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 40 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N3553 | NJSEMI |
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS | |
2N3553 | ASI |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR | |
2N3553 | NXP |
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Silicon planar epitaxial overlay transistor | |
2N3553 | SEME-LAB |
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NPN SILICON HIGH | |
2N3554 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
2N3554 | RAYTHEON |
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Transistor, | |
2N3554LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI | |
2N3555 | TI |
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2N3555 | |
2N3555 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element | |
2N3556 | TI |
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2N3556 |