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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N3507
2N3507 PDF预览

2N3507

更新时间： 2024-09-23 07:28:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

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2N3507 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.03
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
最大关闭时间（toff）：90 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

2N3507 数据手册

 浏览型号2N3507的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/349  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N3506  
2N3507  
JANTX  
JANTXV  
2N3506A  
2N3506L  
2N3506AL  
2N3507A  
2N3507L  
2N3507AL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
2N3506 2N3507  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
40  
60  
50  
80  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
5.0  
3.0  
@ TA = 25°C (1)  
@ TC = 25°C (2)  
1.0  
5.0  
Total Power Dissipation  
PT  
W
Operating & Storage Temperature Range  
Note:  
Top, Tstg  
-65 to +200  
°C  
TO-5 (L-Versions)  
1) Derate linearly 5.71 mW/°C for TA > +25°C  
2) Derate linearly 55.5 mW/°C for TC > +25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
40  
50  
Vdc  
2N3506  
2N3507  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 40Vdc  
VCE = 60Vdc  
ICEX  
µAdc  
2N3506  
2N3507  
1.0  
1.0  
TO-39 (TO-205-AD)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 100µAdc  
60  
80  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Vdc  
Vdc  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IE = 10µAdc  
5
ON CHARACTERISTICS (3)  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 500mAdc, VCE = 1Vdc  
2N3506  
2N3507  
50  
35  
250  
175  
hFE  
hFE  
hFE  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 1.5Adc, VCE = 2Vdc  
2N3506  
2N3507  
40  
30  
200  
150  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 2.5Adc, VCE = 3Vdc  
2N3506  
2N3507  
30  
25  
T4-LDS-0016 Rev. 1 (072040)  
Page 1 of 2  
12

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2N3507 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN2N3507 MICROSEMI

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S
2N3507A MICROSEMI

完全替代

 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

与2N3507相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3507_07 SEMICOA

获取价格

 		Silicon NPN Transistor
2N3507A SEMICOA

获取价格

 		Silicon NPN Transistor
2N3507A MICROSEMI

获取价格

 		NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
2N3507A NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39
2N3507AL MICROSEMI

获取价格

 		NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
2N3507AL SEMICOA

获取价格

 		Silicon NPN Transistor
2N3507ALE3 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2N3507AU4E3 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
2N3507L SEMICOA

获取价格

 		Type 2N3507L Geometry 1506 Polarity NPN
2N3507L MICROSEMI

获取价格

 		NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

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