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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2993 | ASI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, |
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| 2N2993 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package |
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| 2N2993 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2994 | ASI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, |
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| 2N2994 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2995 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | STR-10 |
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