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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-205AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2992A | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2993 | ASI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, |
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| 2N2993 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package |
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| 2N2993 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2994 | ASI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, |
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| 2N2994 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-5 |
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