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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, X-MUPM-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JESD-30 代码： | X-MUPM-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | VCEsat-Max： | 0.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2991B | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2992 | ASI | Transistor |
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| 2N2992 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
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| 2N2992 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2992A | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-5 |
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| 2N2993 | ASI | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, |
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