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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2976 | NJSEMI | NPN LOW-LEVEL, LOW-NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFIERS |
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| 2N2977 | NJSEMI | NPN LOW-LEVEL, LOW-NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFIERS |
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| 2N2978 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-71 |
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| 2N2979 | NJSEMI | OUAL NPN LOW LEVEL LOW NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFIER |
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| 2N2979DCSM | SEME-LAB | Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
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| 2N297A | NJSEMI | POWER TRANSISTOR |
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