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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.57 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-206AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e4/e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | GOLD/TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 300 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2907A_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
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| 2N2907A_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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| 2N2907AB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2N2907AB-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2N2907ABC | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2N2907ABC-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2N2907A-BP | MCC |
获取价格 |
PNP Switching Transistors |
|
| 2N2907ABS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N2907ABS-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2N2907AC1 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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