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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2907A_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
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| 2N2907A_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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| 2N2907AB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2N2907AB-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2N2907ABC | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2N2907ABC-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2N2907A-BP | MCC |
获取价格 |
PNP Switching Transistors |
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| 2N2907ABS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2N2907ABS-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2N2907AC1 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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