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2N2814E3 PDF预览

2N2814E3

更新时间： 2024-01-07 22:07:41

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	60K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN

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2N2814E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-61	JESD-30 代码：	O-MUPM-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N2814E3 数据手册

1

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与2N2814E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2815	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N2816	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N2817	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N2818	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N2819	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N282	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 125MA I(C) \| CAN	获取价格

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