5秒后页面跳转
2N2655 PDF预览

2N2655

更新时间: 2024-02-13 06:34:46
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5

2N2655 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.66
最大集电极电流 (IC):0.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):15 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):0.25 MHzBase Number Matches:1

2N2655 数据手册

  

与2N2655相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N2657 CENTRAL SMALL SIGNAL TRANSISTORS

获取价格

2N2657 APITECH Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5,

获取价格

2N2657 ASI Transistor

获取价格

2N2657 ONSEMI TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal

获取价格

2N2657 NJSEMI Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-5

获取价格

2N2657LEADFREE CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI

获取价格