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2N2646

更新时间: 2024-01-09 02:17:39
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ASI 晶体晶体管单结晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
SILICON PN UNIVUNCTION TRANSISTOR

2N2646 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83配置:SINGLE
最大发射极电流:50 mA最大基极间电压:35 V
最大本征偏离比:0.75最小本征偏离比:0.56
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL最大峰点电流:5 mA
功耗环境最大值:0.3 W最大功率耗散 (Abs):0.3 W
最大基极间静态电阻:9.1 k Ω最小基极间静态电阻:4.7 k Ω
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
最小谷点电流:4 mA

2N2646 数据手册

  
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