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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.08 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 225 |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2484UB1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高度可靠的60 V@0.5 A NPN晶体管 |
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| 2N2484UBC | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
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| 2N2484UBG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高度可靠的60 V@0.5 A NPN晶体管 |
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| 2N2484UBT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高度可靠的60 V@0.5 A NPN晶体管 |
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| 2N249 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200MA I(C) | TO-9VAR |
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| 2N2490 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-36 |
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| 2N2491 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-36 |
|
| 2N2492 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-36 |
|
| 2N2493 | NJSEMI |
获取价格 |
GE PNP OWER BJT |
|
| 2N2497 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | TO-5 |
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