是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.68 | 最大集电极电流 (IC): | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 250 | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2484_02 | MICROSEMI |
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Silicon NPN Transistor | |
2N2484_1 | MICROSEMI |
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NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR | |
2N2484_12 | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | |
2N2484A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 | |
2N2484ACSM | ETC |
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NPN | |
2N2484ADCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed | |
2N2484CSM | SEME-LAB |
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HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC | |
2N2484DCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed | |
2N2484HR | STMICROELECTRONICS |
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Hi-Rel NPN bipolar transistor 60 V - 50 mA | |
2N2484HRG | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |