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2N2484

更新时间: 2024-10-31 14:53:31
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先科 - SWST 晶体管
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5页 247K
描述
小信号晶体管

2N2484 数据手册

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2N2484  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
Features  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
TO-92 Plastic Package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
60  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
60  
V
6
V
Collector Current  
0.1  
625  
A
Power Dissipation  
Ptot  
mW  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Unit  
Max.  
200  
Thermal Resistance - Junction to Ambient  
/W  
®
1 / 5  
Dated: 24/02/2023 Rev: 02  

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