是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TO-18, 3 PIN | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 最大发射极电流: | 70 mA |
最大基极间电压: | 65 V | 最大本征偏离比: | 0.75 |
最小本征偏离比: | 0.62 | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 140 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 最大峰点电流: | 6 mA |
最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W | 最大基极间静态电阻: | 9.1 k Ω |
最小基极间静态电阻: | 6.2 k Ω | 子类别: | Unijunction Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管元件材料: | SILICON | 最小谷点电流: | 8 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2422BHR | DIGITRON |
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Unijunction Transistor | |
2N2422BPBF | DIGITRON |
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Unijunction Transistor | |
2N2422HR | DIGITRON |
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Unijunction Transistor | |
2N2422PBF | DIGITRON |
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Unijunction Transistor | |
2N243 | NJSEMI |
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N-P-N GROWN SILICON TRANSISTOR | |
2N2430 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-1 | |
2N2432 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package | |
2N2432 | MICROSEMI |
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NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR | |
2N2432A | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A | |
2N2432A | MICROSEMI |
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NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR |