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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.71 |
| JESD-609代码： | e0 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | TIN LEAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2329AS | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| 2N2329E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5, |
|
| 2N2329LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-39, HE |
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| 2N2329S | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| 2N2329SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5, |
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| 2N2330 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2331 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-18 |
|
| 2N2332 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2333 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
|
| 2N2334 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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